Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -5А; Idm: -20А; 1,2Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: WM04P50M
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: WM04P50M
Виробник: WAYON
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 11,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 85мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -5А
Струм стоку в імпульсі: -20А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Tap: metric; M8; 1.25; 80mm; high speed steel
Tap: metric; M8; 1.25; 80mm; high speed steel

387,10 грн

Type of tap:
метрична
Використання інструментів:
для ремонту різьби; для різьбових вставок
Довжина:
80мм
Крок різьби:
1,25
Недоступний
Аксесуари: корпус вилки; гніздовий; Datamate; PIN: 18; 2x9
Аксесуари: корпус вилки; гніздовий; Datamate; PIN: 18; 2x9

5015,84 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Вид упаковки:
розсипний
Застосування - серія/виробник:
Datamate J-Tek; Datamate Mix-Tek
Кількість пін:
18
Недоступний
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-4А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-4А

18,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11/11,3нКл
Корпус:
ChipFET8
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 1,8А; ±20%; 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 1,8А; ±20%; 3x3x1,5мм

3,66 грн

Висота:
1,5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

23,44 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
10нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 90А; 42÷660ВAC; RGS..E
Реле: напівпровідниковe; Uупр: 4÷32ВDC; 90А; 42÷660ВAC; RGS..E

5129,88 грн

Зовнішні розміри:
17,8x62x90мм
Клас герметичності:
IP20
Модель реле:
1-фазний
Напруга перемикання:
42...660В AC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; SMT; 3A; 250V

141,28 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -60В; -60А; 100Вт; DPAK

56,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-60В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -31А; 110Вт; D2PAK

150,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -13А; 110Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,6А; 1,6Вт; PG-DSO-8

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18,6А; 80Вт; PG-TO252-3

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,7нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD