1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMP4015SPS-13
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP4015SPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: PowerDI®5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -8,7А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 5мГн; 2А; R: 70мОм; Ø17,8x11,43мм; Ø: 17,8мм
Реактор: дротяний; SMD; 5мГн; 2А; R: 70мОм; Ø17,8x11,43мм; Ø: 17,8мм

79,19 грн

Висота:
11,43мм
Діаметр:
17,8мм
Індуктивність:
5мГн
Монтаж:
SMD
Недоступний
Модуль автоматики: контролер руху; Інтерфейс: USB; 1ГГц; 1ГБ
Модуль автоматики: контролер руху; Інтерфейс: USB; 1ГГц; 1ГБ

0,00 грн

Інтерфейс:
USB
Комунікаційний протокол:
EtherCAT; EtherNET/IP
Об’єм пам’яті:
1ГБ
Особливості модулів:
8 axes
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8
IC: пам'ять EEPROM; 2кбEEPROM; SPI; 256x8бит; 2,5÷5,5В; 10МГц; DIP8

0,00 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI
Кількість циклів макс.:
1м
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,9А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,6кВт; 28,9В; 14,9А; односпрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

4,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
26В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AED
Резистор: thin film; 12кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,5%; ERA2AED

1,55 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
5,45нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
64нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8