1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,7А; Idm: -100А; 0,8Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: DMP4015SPS-13
76,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP4015SPS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус: PowerDI®5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±25В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,8Вт
Струм стока: -8,7А
Струм стоку в імпульсі: -100А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 1,5Вт; 33В; SMD; 50нА
Діод: зенера; 1,5Вт; 33В; SMD; 50нА

1635,20 грн

Допуск:
±1%
Зенерівська напруга:
33В
Монтаж:
SMD
Потужність розсіювання:
1,5Вт
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 5м; вилка; 240ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "мама"; прямий; 5м; вилка; 240ВDC

917,39 грн

Властивості датчиків:
додатковий перешкодоподавляючий екран
Довжина кабелю:
5м
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

72,86 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
163нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD