1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92
Немає в наявності
Код товару: VP0550N3-G-P013
98,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VP0550N3-G-P013
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: Ammo Pack
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 125Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 2000шт.
Струм стока: -54мА
Струм стоку в імпульсі: -0,25А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 250V

833,76 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 45,3Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 45,3Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thin film; 43,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 43,2кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10
PMIC; LDO,перетворювач DC/DC; Uвх: 2,7÷5,5В; Uвих: 0,8÷4,5В; DFN10

88,70 грн

Вид об'єднаної схеми:
LDO; перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,8...4,5В; 1,5В DC
Вихідний струм:
0,3...0,5А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68нФ; 630В; X7R; ±10%; SMD; 1812

6,53 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 3,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 3,4кОм; 0603; 100мВт; ±1%; ERJ3EKF; 100ppm/°C

0,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; 150В; -55÷155°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -23А; 140Вт; TO220AB

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO262
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO262

145,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO262
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -54мА; Idm: -0,25А; 1Вт; TO92

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; 79Вт; TO220AB

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -18А; 83Вт; 62нс

198,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; IPAK

71,59 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
12,7нКл
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -280мА; Idm: -3А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -280мА; Idm: -3А; 1Вт; TO92

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT