1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -280мА; Idm: -3А; 1Вт; TO92

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -280мА; Idm: -3А; 1Вт; TO92
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: VP0808L-G
91,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VP0808L-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: -0,28А
Струм стоку в імпульсі: -3А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Iвих: 6,25А; Half Brick; на панель
Перетворювач: DC/DC; 75Вт; Iвих: 6,25А; Half Brick; на панель

11872,80 грн

Вихідна напруга:
12В
Вихідний струм:
6,25А
Зовнішні розміри:
107,95x101,6x38,1мм
Кількість виходів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 649Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 649Ом; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50ВDC; ±5%; SMD; Thk: 0,6мм
Конденсатор: керамічний; 2,7нФ; 50ВDC; ±5%; SMD; Thk: 0,6мм

3,07 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
2,7нФ
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
50В DC
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1210

8,30 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 7,3нГн; 440мА; R: 0,14Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 7,3нГн; 440мА; R: 0,14Ом; LQW; 180мм

2,76 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5nH
Індуктивність:
7,3нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; Trench; 100В; 180А; Idm: 180А; 480Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; Trench; 100В; 180А; Idm: 180А; 480Вт; D2PAK

182,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
151нКл
Корпус:
D2PAK
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 35; SMT; 3A; 100V

389,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
туба
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F

425,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220F
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC