Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -8А; 180Вт; TO268; 400нс

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXTT8P50
462,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTT8P50
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 130нКл
Корпус: TO268
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -500В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 180Вт
Струм стока: -8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Час готовності: 400нс
Недоступний
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 130Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,05 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 3A; 250V

124,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
25,8мм
Недоступний
Роз’єм: automotive; штекерний; AT; PIN: 12; на PCB
Роз’єм: automotive; штекерний; AT; PIN: 12; на PCB

136,21 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
12
Механічний монтаж:
на PCB
Робоча температура:
-55...125°C
Недоступний
Резистор: thick film; 4,3МОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 4,3МОм; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

0,55 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 4,5мм; 1/4"
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 4,5мм; 1/4"

89,96 грн

Вид ключа:
насадковий
Розмір гнізда:
HEX 4,5мм
Розмір гнізда тримача - дюйм:
1/4"
Тип насадки:
6-гранна
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD
IC: мікроконтролер PIC; 16кБ; 64МГц; I2C,LIN,SPI,UART,USART; SMD

45,62 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM
Інтерфейс:
I2C; LIN; SPI; UART; USART
Кількість входів/виходів:
12
Недоступний
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 30В; 0,5А; 250мВт
Транзистор: PNP; біполярний; Darlington; 30В; 0,5А; 250мВт

4,56 грн

Вид транзистора:
Darlington
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23; TO236AB
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD