1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -200мА; Idm: -0,7А; 425мВт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -200мА; Idm: -0,7А; 425мВт
Немає в наявності
Код товару: DMP56D0UFB-7
30,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: DMP56D0UFB-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 7 дюймів
Заряд затвора: 580пКл
Корпус: X1-DFN1006-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±8В
Напруга сток-джерело: -50В
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,425Вт
Струм стока: -0,2А
Струм стоку в імпульсі: -0,7А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 80нс; 1,8÷5,5В; SMT; SOT23-5
IC: компаратор; low-power; Cmp: 1; 80нс; 1,8÷5,5В; SMT; SOT23-5

23,00 грн

Вид виходу:
відкритий дренаж
Вид компаратора:
low-power
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вхідна напруга зміщення нуля:
10мВ
Недоступний
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 1,2кОм; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 82,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

791,31 грн

Довжина проводу:
1м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 29,4Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 29,4Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Вимикач двигуна; 230÷690ВAC; на шину DIN; 6,3÷10А; IP20
Вимикач двигуна; 230÷690ВAC; на шину DIN; 6,3÷10А; IP20

2135,71 грн

Діапазон налаштування захисту:
6,3...10А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Клас герметичності:
IP20
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD