Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -5,3А; Idm: -21А; 25Вт

Немає в наявності
Код товару: IRFR9010TRLPBF
20,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: IRFR9010TRLPBF
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 9,1нКл
Корпус: DPAK; TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -50В
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 25Вт
Струм стока: -5,3А
Струм стоку в імпульсі: -21А
Тип транзистора: P-MOSFET
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; односпрямована; ±5%; SMBJ
Діод: TVS; 600Вт; 9,44÷10,4В; 41,7А; односпрямована; ±5%; SMBJ

24,71 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
8,5В
Реле: електромагнітнe; 28ВDC; на панель; ton/off: 15мс; toff: 15мс
Реле: електромагнітнe; 28ВDC; на панель; ton/off: 15мс; toff: 15мс

71682,17 грн

Матеріал контакту:
AgCdO
Монтаж:
на панель
Напруга котушки:
28В DC
Номінальний струм:
25А
Недоступний
Маркер: кабельний; 4÷10мм; ПВХ; прозорий; CLI T; UL94V-0; H: 30мм
Маркер: кабельний; 4÷10мм; ПВХ; прозорий; CLI T; UL94V-0; H: 30мм

7,48 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
кабелів і проводів
Висота:
30мм
Зовнішній діаметр проводу:
4...10мм
Клас горючості:
UL94V-0
Недоступний
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 84,5Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; THT; 1.5A

676,64 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 100V

85,53 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET