Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,141А; 0,347Вт; SOT23

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: NTR5105PT1G
4,43 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTR5105PT1G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,347Вт
Струм стока: -0,141А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 31; THT; 3A; 250V

200,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
15,6мм
Недоступний
Резистор: thin film; 1,65кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 1,65кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Резистор: thin film; 787кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 787кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,29 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
RS; PIN: 20; 26AWG÷12AWG; L: 60мм; Дл: 60мм
RS; PIN: 20; 26AWG÷12AWG; L: 60мм; Дл: 60мм

7119,88 грн

Довжина:
60мм
Довжина кабелю:
60мм
Кількість пін:
20
Робоча температура:
-25...50°C
Недоступний
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 10,2кОм; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 90А; 150Вт; DPAK,TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 90А; 150Вт; DPAK,TO252

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; 100Вт; 85÷264ВAC
Блок живлення: імпульсний; AC/DC,відкритий; 100Вт; 85÷264ВAC

6005,46 грн

Вид блоку живлення:
AC/DC; відкритий
Вихідна напруга:
48В
Вихідний струм:
2,08А
Відповідність стандарту:
CE; cURus
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET