1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,25А; Idm: -10А; 0,5Вт
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: MMFTP5618-AQ
19,64 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: MMFTP5618-AQ
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 7нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,23Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -1,25А
Струм стоку в імпульсі: -10А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 43кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм
Резистор: вуглецевий; 43кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В; L: 5,8мм

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 220Ом; SMD; 2010; 1Вт; ±1%; HP; 200В; -55÷155°C

2,59 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67
Датчик: індуктивний; OUT: PNP / NO; 0÷1,5мм; 10÷30ВDC; M8; IP67

909,15 грн

Вид голівки:
екранований
Дальність:
0...1,5мм
Загальна довжина:
40мм
Кількість пін:
3
Індикатор: LED; плоска; зелений; Ø10мм; QS; проводи; 200мм; пластик
Індикатор: LED; плоска; зелений; Ø10мм; QS; проводи; 200мм; пластик

164,09 грн

Виводи:
проводи
Вид індикатора:
плоска
Довжина відводів:
0,2м
Колір індикатора:
зелений
Недоступний
Резистор: thick film; 332Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 332Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 402Ом; SMD; 2512; 3Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

12,04 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм
Резистор: thick film; 2,2кОм; SMD; 0402; ±1%; 50В; 0,063мм

0,09 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -86А; Idm: -344А; 125Вт

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -25А; Idm: -100А; 33Вт; TO252

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -24А; Idm: -96А; 27Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,5А; Idm: -6А; 3,1Вт; SOP8

25,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,6нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -15А; Idm: -60А; 3,1Вт; SOP8

27,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; 1,95Вт

11,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; -60В; 77Вт; TO252

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-5...20В