Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,5А; Idm: -6А; 1Вт; TSMT3

Немає в наявності
Код товару: RSR015P06FRATL
17,11 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3
Код товару: RSR015P06FRATL
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: TSMT3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,36Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Струм стока: -1,5А
Струм стоку в імпульсі: -6А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 100пФ; 25В; C0G (NP0); ±2%; SMD

7,38 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS
IC: мікроконтролер ARM; 64кБSRAM,256кБFLASH; LQFP64; KINETIS

281,93 грн

Вид архітектури:
Cortex M4F
Інтерфейс:
16bit SPI; FlexCAN x2; I2C; UART x2
Кількість входів/виходів:
58
Корпус:
LQFP64
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; -55÷155°C

1,36 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C
Роз’єм: M12; промислова; M; прямий; латунь; латунь; -40÷105°C

73,49 грн

Connector family:
промислова
Матеріал корпусу:
латунь
Просторова орієнтація:
прямий
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1
Діод: TVS; 0,4кВт; 6,67В; 38,8А; двоспрямована; DO214AC,SMA; Ch: 1

8,81 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
6В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AC; SMA
Недоступний
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ
IC: driver; контролер затворів; SO20-W; 4А; Ch: 2; 5кВ

480,87 грн

Вид виходу:
що інвертує; що не інвертує
Вид об'єднаної схеми:
контролер затворів
Вихідний струм:
4А
Властивості інтегральних мікросхем:
гальванічне відокремлення
Недоступний
Кабель: до датчиків; штекерний,гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K
Кабель: до датчиків; штекерний,гніздовий; M12 ALTW; IP68,IP69K

5459,97 грн

Вид роз’єму:
гніздовий; штекерний
Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -8,2А; Idm: -48А; 88Вт

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -7,5А; Idm: -50А

33,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
25,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -300мА; Idm: -1А; 500мВт

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
1,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,4А; Idm: -29,6А; 2Вт

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,5нКл
Корпус:
SOT23-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5,6А; Idm: -22,4А; 2Вт; SOT23

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,2нКл
Корпус:
SOT23