1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -11А; 2Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,6А; Idm: -11А; 2Вт; SOT23
Немає в наявності
Код товару: SQ2361CEES-T1_BE3
8,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: SQ2361CEES-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,17Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 2Вт
Струм стока: -1,6А
Струм стоку в імпульсі: -11А
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 680пФ; 100ВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 680пФ; 100ВDC; C0G (NP0); ±10%; SMD; 1206

4,82 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
0,68нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 26,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 26,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Молоток; для бляхарів; Маса: 570г; сталь; дерево (горіх)
Молоток; для бляхарів; Маса: 570г; сталь; дерево (горіх)

1872,78 грн

Вага головки:
570г
Вид інструменту:
для бляхарів
Маса нетто:
720г
Матеріал держака:
дерево (горіх)
Недоступний
Резистор: thin film; 300кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В
Резистор: thin film; 300кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; TC; 75В

0,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 330нФ; 25В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
0,33мкФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 82пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,17 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Борфреза; Ø: 7,5мм; карбід вольфраму; конусний; Ø: 3,2мм
Борфреза; Ø: 7,5мм; карбід вольфраму; конусний; Ø: 3,2мм

1378,61 грн

Вид напилка:
конусний
Використання інструментів:
дерево; для силіконів
Діаметр:
7,5мм
Діаметр стержня:
3,2мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD