Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: BSP170PH6327XTSA1
Price: 62.72 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: BSP170PH6327XTSA1

62,72 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

BSP170PH6327XTSA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-SOT223

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-60В

Опір в стані провідності:

0,3Ом

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

1,8Вт

Струм стока:

-1,9А

Технологія:

SIPMOS™

Тип транзистора:

P-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
5,45нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,8нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
64нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
SO8