Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 4,2Вт; SOT223

Немає в наявності
Код товару: ISP25DP06NMXTSA1
7,41 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 1000
Код товару: ISP25DP06NMXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 10,8нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 4,2Вт
Струм стока: -1,9А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 4А; Idm: 12А; 2Вт; SO8

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SO8
Недоступний
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка
Діод: варикап; 10В; ESC; одиночний діод; ролик,cтрічка

0,00 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
RF
Ємність:
4,45...11,1пФ
Зворотна напруга макс.:
10В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.7mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
1,7мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В
Діод: випрямний; 1,6кВ; 400А; катод на болті; DO205AB,DO9; 1,62В

4681,33 грн

Вид упаковки:
розсипний
Зворотна напруга макс.:
1,6кВ
Корпус:
DO9; DO205AB
Монтаж:
гвинтовий
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 16мм; 1/2"

347,19 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Властивості ключів:
колірний код полегшує пізнання ключів
Довжина насадки:
38мм
Розмір гнізда:
HEX 16мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 4; THT; 1.5A; 60V

48,15 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C
Резистор: thick film; 3МОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷125°C

0,10 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,1А; Idm: -12А; 1,2Вт

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,18А; Idm: -0,7А; 0,25Вт

7,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -500мА; Idm: -1А; 500мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -500мА; Idm: -1А; 500мВт

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,4нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -9,2А; 700мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,3А; Idm: -9,2А; 700мВт

20,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; Idm: -13А; 1,2Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -8А; 2,2Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -2А; Idm: -8А; 2,2Вт; SOT23

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 183,8Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120А; Idm: -480А; 183,8Вт

58,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
84нКл
Корпус:
TO263