Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -120мА; Idm: -0,4А; SOT23-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: TP0610T-G
43,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TP0610T-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 10Ом
Поляризація: польовий
Стандартне пакування виробника: 3000шт.
Струм стока: -120мА
Струм стоку в імпульсі: -400мА
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 50В; C0G (NP0); ±10%; SMD

12,67 грн

Alias:
C0805C471K5GAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 25В; X5R; ±20%; SMD; 0201

0,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; SMT; 3A; 250V

24,08 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,5В

69,06 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,5В
Вихідний струм:
1,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 562Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 562Ом; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В

0,44 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -5А; 1,6Вт; PG-DSO-8

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-DSO-8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO252-3

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В