1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -1,5А; 0,5Вт; PG-SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSS314PEH6327XTSA1
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS314PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 0,14Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,5Вт
Струм стока: -1,5А
Технологія: OptiMOS™ P3
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 1,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В

0,56 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Викрутка: динамометрична; 155мм; 0,3Нм; тримач: C6,3mm,E6,3mm
Викрутка: динамометрична; 155мм; 0,3Нм; тримач: C6,3mm,E6,3mm

4694,00 грн

Вид рукоятки:
C6,3mm; E6,3mm
Загальна довжина:
155мм
Модель:
ESD
Обертаючий момент:
0,3Нм
Недоступний
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; NS; 200В
Резистор: thick film; 470кОм; SMD; 2010; 1Вт; ±5%; NS; 200В

3,14 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 16В; X6S; ±20%; SMD; 0603

1,55 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 27пФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0603

14,64 грн

Alias:
C0603C270F5GAC7867
Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 7Ом; SMD; 3А; 0805; R: 30мОм; ±25%
Ферит: бусина; Імп.@ 100МГц: 7Ом; SMD; 3А; 0805; R: 30мОм; ±25%

1,35 грн

Допуск:
±25%
Імпеданс при 100МГц:
7Ом
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,4пФ
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -7А; TSMT8

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -3,1А; 1,5Вт

17,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-30В
Опір в стані провідності:
0,105Ом
Транзистор: P-MOSFET; -800мА
Транзистор: P-MOSFET; -800мА

4,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Струм стока:
-0,8А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -85А; 75Вт

53,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Напруга сток-джерело:
-30В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -50А; DPAK

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-40В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5,5А

14,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-20В
Опір в стані провідності:
29,8мОм
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А
Транзистор: P-MOSFET; -12В; -4,8А

16,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-12В
Струм стока:
-4,8А