Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -12А; Idm: -18А; 55Вт; DPAK

Немає в наявності
Код товару: SVD2955T4G
51,32 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SVD2955T4G
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,18Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 55Вт
Струм стока: -12А
Струм стоку в імпульсі: -18А
Тип транзистора: P-MOSFET
Викрутка: ізольований-комплект; хром-ванадієва сталь; slim; 6шт.
Викрутка: ізольований-комплект; хром-ванадієва сталь; slim; 6шт.

2862,40 грн

Відповідність стандарту:
IEC 60900; VDE
Властивості викруток:
двокомпонентний матеріал рукоятки
Кількість в наборі/упаковці:
6шт.
Матеріал стержня:
хром-ванадієва сталь
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 50ВDC; C0G (NP0)
Конденсатор: керамічний; 470нФ; 50ВDC; C0G (NP0)

2819,95 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
0,47мкФ
Робоча напруга:
50В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Недоступний
IC: інтерфейс; рація; RS232; 1Мбіт/с; VQFN32; ESD; 3÷5,5В
IC: інтерфейс; рація; RS232; 1Мбіт/с; VQFN32; ESD; 3÷5,5В

79,83 грн

Вид виходу:
логічний
Вид об'єднаної схеми:
рація
Інтерфейс:
RS232
Кількість передавачів:
3
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 1,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В
Резистор: вуглецевий; 1,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 18; THT; 1.5A

333,88 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
2,5мм
Недоступний
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; VSSOP28; 32кБRAM,64кБFLASH; ARM
IC: мікроконтролер ARM; 80МГц; VSSOP28; 32кБRAM,64кБFLASH; ARM

0,00 грн

Вид архітектури:
Cortex M0+
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR)
Інтерфейс:
ADC x2; CAN; I2C x2; SPI x2; UART x4
Кількість входів/виходів:
24
Гайка; PG7; нержавіюча сталь; 17мм; Різьбл: PG; GM-INOX
Гайка; PG7; нержавіюча сталь; 17мм; Різьбл: PG; GM-INOX

421,31 грн

Вид різьблення:
PG
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Різьба сальника:
PG7
Розмір ключа:
17мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD