1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK

Транзистор: P-MOSFET; польовий; 60В; 15,5А; Idm: 50А; 65Вт; DPAK
Немає в наявності
Код товару: NTDV20P06LT4G-VF01
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTDV20P06LT4G-VF01
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 15нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Опір в стані провідності: 143мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 65Вт
Струм стока: 15,5А
Струм стоку в імпульсі: 50А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 58; THT; 3A; 250V

220,48 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC

359,22 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206

20,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD

23,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
IPAK
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16
IC: пам'ять FLASH; 1ГбFLASH; CFI,SPI; 80МГц; 2,7÷3,6В; SOIC16

884,44 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
лоток
Інтерфейс:
CFI; SPI
Корпус:
SOIC16
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 34; SMT; 3A; 250V

281,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8