1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; 60В; 16А; DFN5060-8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; 60В; 16А; DFN5060-8
Немає в наявності
Код товару: PJQ5465A-AU_R2_000A1
34,85 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJQ5465A-AU_R2_000A1
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Використання: автомобільна галузь
Корпус: DFN5060-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Струм стока: 16А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,27мкФ; 630ВDC; 26,5x7x21,5мм
Конденсатор: поліімідний; ECQE; 0,27мкФ; 630ВDC; 26,5x7x21,5мм

15,40 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
0,27мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1мкФ; 50В; X7R; ±20%; SMD; 1206; 180мм

4,43 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; UQFN40; PIC18; туба
IC: мікроконтролер PIC; 64МГц; 1,8÷3,6ВDC; SMD; UQFN40; PIC18; туба

165,99 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); HLVD; Phase locked loop; PoR; watchdog; XLP
Інтерфейс:
EUSART; I2C x2; LIN; RS232; RS485; SPI x2
Недоступний
Оптотріак; 5кВ; симистор; DIP6 Gullwing; Колір: чорний
Оптотріак; 5кВ; симистор; DIP6 Gullwing; Колір: чорний

14,57 грн

Вид виходу:
симистор
Колір корпусу:
чорний
Корпус:
DIP6 Gullwing
Монтаж:
THT
Недоступний
Струмовий шунт; 100мВ; -25÷55°C; B6; 300А
Струмовий шунт; 100мВ; -25÷55°C; B6; 300А

3513,06 грн

Падіння напруги:
0,1В
Робоча температура:
-25...55°C
Серія виробника:
B6
Струмове навантаження на провід:
300А
Недоступний
Tap: metric; M9; fine thread,right hand thread; 0.75; L: 56mm
Tap: metric; M9; fine thread,right hand thread; 0.75; L: 56mm

349,09 грн

Type of tap:
метрична
Вид різьблення:
права; тонка нитка
Вид рукоятки:
квадрат; машина
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Недоступний
Діод: TVS; 600Вт; 28,1В; 15,4А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C
Діод: TVS; 600Вт; 28,1В; 15,4А; односпрямована; SOD128F; макс.150°C

20,91 грн

Зворотна напруга макс.:
24В
Корпус:
SOD128F
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
28,1В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
SOP8