1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 900мВт; SO8

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,7А; Idm: -24А; 900мВт; SO8
Немає в наявності
Код товару: DMP6110SSDQ-13
16,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: DMP6110SSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик 13 дюймів
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 17,2нКл
Корпус: SO8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,9Вт
Струм стока: -2,7А
Струм стоку в імпульсі: -24А
Тип транзистора: P-MOSFET
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷36,8В; 13А; односпрямована; ±5%; SMBJ
Діод: TVS; 0,6кВт; 33,3÷36,8В; 13А; односпрямована; ±5%; SMBJ

21,54 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
30В
Корпус:
DO214AA; SMB
Недоступний
Резистор: thin film; 2,74кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 2,74кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

65,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 201÷222В; 1,4А; односпрямована; SMA; SMAJ
Діод: TVS; 0,4кВт; 201÷222В; 1,4А; односпрямована; SMA; SMAJ

3,93 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
180В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); D3V; IP40; -25÷105°C
Мікроперемикач SNAP ACTION; SPDT; ON-(ON); D3V; IP40; -25÷105°C

205,90 грн

Електрична стійкість:
200000 цикли
Клас герметичності:
IP40
Конфігурація контактів:
SPDT
Монтаж:
на панель
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 1мкГн; R: 135мОм; ±20%; BR; 850мА; 1x1мм
Реактор: дротяний; SMD; 0805; 1мкГн; R: 135мОм; ±20%; BR; 850мА; 1x1мм

5,26 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
1мкГн
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thick film; 27Ом; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 27Ом; 2512; 1Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

9,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Недоступний
Резистор: thin film; 750кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 750кОм; THT; 1Вт; ±0,5%; Ø3,7x10мм; осьові

41,81 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4,6А; 2,5Вт; SO8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -11А; 38Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -160мА; Idm: -0,8А; 360мВт

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -10,8А; 69Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,15А; 0,3Вт; PG-SOT-323

12,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
0,37нКл
Корпус:
PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -50А; 150Вт; PG-TO252-5

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-5
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,5А; 400мВт; SC70-6

19,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
SC70-6
Монтаж:
SMD