Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: BSP613PH6327XTSA1
95,03 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSP613PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 0,13Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,8Вт
Струм стока: -2,9А
Технологія: SIPMOS™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 100нА; Ufmax: 1,5В
Діод: зенера; 500мВт; 24В; DO35; 100нА; Ufmax: 1,5В

200,20 грн

Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
24В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thin film; 511кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X
Резистор: thin film; 511кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8X

36,30 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; вилка; Iном: 4А; HDC
Кабель: до датчиків; PIN: 4; гніздовий; прямий; вилка; Iном: 4А; HDC

21602,92 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Колір ізоляції:
зелений
Конструкція кабелю/переходу:
гніздовий
Недоступний
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8
IC: пам'ять FRAM; 1МбFRAM; I2C; 128Кx8бит; 2÷3,6ВDC; 3,4МГц; SO8

881,27 грн

Вид пам’яті:
FRAM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: M8; вилка; штекерний; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67
Роз’єм: M8; вилка; штекерний; промислова; M8 ALTW; прямий; IP67

658,26 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
5м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; 4А
Кабель: до датчиків; M12,M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; 4А

765,33 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 16пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; 0201

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,3А; 0,4Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; 0,55Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,6А; 0,55Вт; SOT23; ESD

14,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -9,2А; 15Вт; PowerPAK® SO8

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
33нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 1,7Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14,5А; 1,7Вт; TO252

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD