Name: Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,7А; Idm: -35А; 2Вт; SO8
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: DMPH6050SSDQ-13
Price: 27.18 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,7А; Idm: -35А; 2Вт; SO8

Немає в наявності

Код товару: DMPH6050SSDQ-13

27,18 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 2500

Крок додавання: 2500

Код товару:

DMPH6050SSDQ-13

Виробник:

DIODES INCORPORATED

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:

автомобільна галузь

Заряд затвора:

30,6нКл

Корпус:

SO8

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

-60В

Опір в стані провідності:

60мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

2Вт

Струм стока:

-3,7А

Струм стоку в імпульсі:

-35А

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

GWQ9LR33.PM-L9M8-XX510-1-180-R18

0,00 грн

Недоступний

Бажані

LED; червоний; SMD; Gull wing; 3500÷4500мкд; 1,8÷2,6ВDC; 10°; 20мА

20,91 грн

Діаметр діода ДУВ:
1,8мм

Довжина хвилі λd:
620...630нм

Колір діода LED:
червоний

Корпус:
Gull Wing

Недоступний

Бажані

Діод: зенера; 500мВт; 33В; SMD; DO213AA; 100нА

171,69 грн

Допуск:
±5%

Зенерівська напруга:
33В

Корпус:
DO213AA

Монтаж:
SMD

Недоступний

Бажані

Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 5N; push-in; 20mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT

Вигин пружини макс.:
5,3мм

Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні

Діаметр наконечника:
2мм

Недоступний

Бажані

Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,4пФ; 250В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0603

4,05 грн

Вид конденсатора:
MLCC

Діаметр роліка макс.:
180мм

Діелектрик:
X8G

Ємність:
8,4пФ

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
20нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
ролик

Властивості напівпровідникових елементів:
logic level

Корпус:
PQFN3.3X3.3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
6нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений

Корпус:
PG-SOT223

Монтаж:
SMD

Напруга затвор-джерело:
±20В

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
2,2нКл

Корпус:
SOT23

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
75нКл

Корпус:
DFN5x6

Монтаж:
SMD