Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -55А; 93Вт; TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: AOB411L
69,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AOB411L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 40нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 16,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 93Вт
Струм стока: -55А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; F86; 22нФ; 630ВDC; 10x10,5x5мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; F86; 22нФ; 630ВDC; 10x10,5x5мм

10,83 грн

Вид конденсатора:
X2
Відповідність стандарту:
IEC 60068-1
Довжина відводів:
17мм
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 0,0027мкФ; 100ВDC; BX
Конденсатор: керамічний; 0,0027мкФ; 100ВDC; BX

29,27 грн

Діелектрик:
BX
Ємність:
2,7нФ
Робоча напруга:
100В DC
Тип конденсатора:
керамічний
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8
Транзистор: N/P-MOSFET; 60В; 4,5А; 2Вт; SOP8

58,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт

1583,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,73 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Діод: TVS; 40кВт; 300В; 292А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD
Діод: TVS; 40кВт; 300В; 292А; двоспрямована; Ch: 1; -55÷150°C; MPLAD

2497,47 грн

Зворотна напруга макс.:
275В
Кількість каналів:
1
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
300В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 64; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 64; THT; straight

36,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
16,5мм
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

144,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -10А; 2,5Вт; SO8

63,36 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,61А; 0,54Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -480мА; Idm: -2,5А; 1,6Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -85В; -96А; 298Вт; TO263

409,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,68А; 1,8Вт; PG-SOT223

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -22А; 1,3Вт; TO263

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,7нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD