Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -5А; SOT223

Немає в наявності
Код товару: PJW5P06A_R2_00701
43,08 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: PJW5P06A_R2_00701
Виробник: PanJit Semiconductor
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: 20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Струм стока: -5А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,8пФ; 200В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
8,8пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1пФ; 100В; X8G; ±0,25пФ; SMD; 0201

0,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
1пФ
Недоступний
Резистор: power metal; 16мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 3Вт; ±1%
Резистор: power metal; 16мОм; вимірювальний; SMD; 2512; 3Вт; ±1%

8,30 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Трансформатор: литий; 3,2ВА; 230ВAC; 15В; 213мА; PCB; IP00; VB
Трансформатор: литий; 3,2ВА; 230ВAC; 15В; 213мА; PCB; IP00; VB

342,75 грн

Відповідність стандарту:
EN 61558-2-6; UL 5085-1
Вторинна напруга 1:
15В
Зовнішні розміри:
41x35x30,8мм
Клас герметичності:
IP00
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET