Транзистор: P-MOSFET; польовий; -80В; -150А; Idm: -250А; 375Вт

Немає в наявності
Код товару: SUP60061EL-GE3
121,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 50
Код товару: SUP60061EL-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 5,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 375Вт
Струм стока: -150А
Струм стоку в імпульсі: -250А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Провід: управління; 4G1мм2; еластомер термопластичний TPE; 8,2мм
Провід: управління; 4G1мм2; еластомер термопластичний TPE; 8,2мм

371,90 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Вид матеріалу:
негалогенний
Connector: wire-board; male; data; AMPMODU; Inom: 2A; 125V; PIN: 12
Connector: wire-board; male; data; AMPMODU; Inom: 2A; 125V; PIN: 12

103,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Кількість пін:
12
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 820пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,31 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -76А; Idm: -88А; 34Вт; HSOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -76А; Idm: -88А; 34Вт; HSOP8

37,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
130нКл
Корпус:
HSOP8
Блокуюча клямка; штекерний; DTM; PIN: 3; оранжевий
Блокуюча клямка; штекерний; DTM; PIN: 3; оранжевий

10,14 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Застосування - серія/виробник:
DTM
Кількість пін:
3
Колір:
оранжевий
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230В,240В
Аварійний вимикач; Iном: 40А; Iдіф: 300мА; Полюси: 2; 230В,240В

2240,25 грн

Вид вимикача:
тип AC
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61008
Диференціальний струм:
0,3А
Недоступний
Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 12,7кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -6,5А; 39Вт; DPAK

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,7А; 0,21Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,17А; 1,8Вт; PG-SOT223

53,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -2,5А; 3Вт; SOT223

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -150В; -1,8А; 42Вт; MLP8

127,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
MLP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8,2А; 2,5Вт; SO8

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
27нКл
Корпус:
SO8