1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -8В; -5А; Idm: -108А; 1,7Вт; DSBGA9
Немає в наявності
Код товару: CSD22206WT
104,54 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD22206WT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: DSBGA9
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±6В
Напруга сток-джерело: -8В
Опір в стані провідності: 9,1мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,7Вт
Струм стока: -5А
Струм стоку в імпульсі: -108А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 36пФ; 50ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
36пФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 30мм; 1/2"
Насадка: 6-гранна; насадковий,ударний; HEX 30мм; 1/2"

421,95 грн

Вид ключа:
насадковий; ударний
Довжина насадки:
48мм
Матеріал:
хром-молібденова сталь
Розмір гнізда:
HEX 30мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 63ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 100мкФ; 63ВDC; ±20%

41,81 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
10,2мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
10мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210

5,45 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 15кВт; 144÷159В; 72,5А; односпрямована; Ø9,4x9,1мм
Діод: TVS; 15кВт; 144÷159В; 72,5А; односпрямована; Ø9,4x9,1мм

193,23 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
130В
Монтаж:
THT
Напруга пробою:
144...159В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50ВDC; NP0; ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 68пФ; 50ВDC; NP0; ±2%; SMD; 0603

0,68 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
NP0
Допуск:
±2%
Ємність:
68пФ
Кабель; 203мм; SMA "папа"; сірий; прямий; 50Ом; штекерний
Кабель; 203мм; SMA "папа"; сірий; прямий; 50Ом; штекерний

2124,31 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина кабелю:
0,203м
Імпеданс:
50Ом
Колір ізоляції:
сірий
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET