1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P THT

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -100В; -56А; 173,6Вт; TO220

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -100В; -56А; 173,6Вт; TO220
Немає в наявності
Код товару: GT250P10T
74,76 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT250P10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 173,6Вт
Струм стока: -56А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Електроізоляційна трубка; натуральний; скловолокно; -20÷155°C
Електроізоляційна трубка; натуральний; скловолокно; -20÷155°C

152,69 грн

Діаметр внутрішній:
10мм
Електрична міцність:
4кВ/мм
Колір:
натуральний
Матеріал:
скловолокно
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,9пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

1,62 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,9пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 61,9Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 61,9Ом; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
61,9Ом
Недоступний
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B
Резистор: thick film; 2,49кОм; SMD; 0805; 250мВт; ±0,1%; ERJPC6B

1,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
IC: driver; buck; контролер LED; HVSSOP10; 5А; 1,24÷42В; Ch: 1; PWM
IC: driver; buck; контролер LED; HVSSOP10; 5А; 1,24÷42В; Ch: 1; PWM

58,92 грн

Вид об'єднаної схеми:
контролер LED
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
для додатків з діодами power LED
Вихідна напруга:
1,24...42В
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 80; vertical; 800mA; 100V
Connector: PCB to PCB; plug; data; PIN: 80; vertical; 800mA; 100V

123,54 грн

Connector family:
data
Висота після з'єднання:
4,7мм
Кількість пін:
80
Модель роз’єму:
pick and place
Недоступний
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 200Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; TC; 75В; 25ppm/°C

0,70 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -17А; 21Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -17А; 21Вт; TO220F

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; 25Вт; IPAK,TO251
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; 25Вт; IPAK,TO251

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -53А; 312Вт; 315нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -200В; -53А; 312Вт; 315нс

451,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
205нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -14А; 79Вт; TO220AB

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,23А; Idm: -3А; 0,7Вт; TO92

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

51,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT