Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -250мА; Idm: -0,8А; 1Вт; TO92

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: VP0104N3-G
48,15 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: VP0104N3-G
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO92
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Опір в стані провідності: 8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1Вт
Стандартне пакування виробника: 1000шт.
Струм стока: -0,25А
Струм стоку в імпульсі: -0,8А
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 220Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 220Ом; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,5%

8,49 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 6,8кОм; THT; 35Вт; ±5%; 10,16x15x4,6мм
Резистор: thick film; 6,8кОм; THT; 35Вт; ±5%; 10,16x15x4,6мм

331,35 грн

Виводи:
радіальні
Допуск:
±5%
Монтаж:
THT
Опір:
6,8кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 63ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 33мкФ; 63ВDC; Ø8x11,5мм; ±20%

11,28 грн

Висота:
11,5мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Ємність:
33мкФ
Недоступний
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 16А; 400В; PIN: 10
Роз’єм: HDC; контактна вкладка; штекерний; 16А; 400В; PIN: 10

2726,82 грн

Connector family:
промислова
Engineering PN:
Han High Temp 10E-s Male
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
гвинтовий затиск
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 18нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,6Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -65В; -120А; 298Вт; 53нс

484,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
185нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -150В; -44А; 298Вт; 140нс

411,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
175нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -20А; Idm: -80А; 25Вт; TO220F

425,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO220F
Модель:
ESD
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; TO220AB

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -21А; 120Вт; TO247AC

160,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
64,7нКл
Корпус:
TO247AC