Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -100В; -56А; 173,6Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: GT250P10M
38,01 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT250P10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 73нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 173,6Вт
Струм стока: -56А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Connector: wire-board; data; Inom: 5A; PIN: 3; 2.54mm; Imax: 5A; 22AWG
Connector: wire-board; data; Inom: 5A; PIN: 3; 2.54mm; Imax: 5A; 22AWG

36,18 грн

Connector family:
data
Електричний монтаж:
IDC
Кількість пін:
3
Клас горючості:
UL94V-2
Недоступний
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 91кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,1пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
4,1пФ
Недоступний
Суперконденсатор; SMD; 1000мФ; 5,5ВDC; ±20%; 30x14x3,7мм; -40÷85°C
Суперконденсатор; SMD; 1000мФ; 5,5ВDC; ±20%; 30x14x3,7мм; -40÷85°C

445,39 грн

Допуск:
±20%
Ємність:
1Ф
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
5,5В DC
Резистор: thick film; 3,3Ом; 0603; 200мВт; ±5%; SR; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,3Ом; 0603; 200мВт; ±5%; SR; -55÷155°C

0,49 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD