Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -11А; 58Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT2K6P15T
50,05 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT2K6P15T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 28нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 58Вт
Струм стока: -11А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; 22пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±5%; SMD; 01005

0,90 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
22пФ
Корпус - дюйм:
01005
Недоступний
Провід: управління; ÖLFLEX® PETRO FD 865 CP; 7G2,5мм2; чорний
Провід: управління; ÖLFLEX® PETRO FD 865 CP; 7G2,5мм2; чорний

983,28 грн

Bластивості проводів:
сертифікат DNV
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Конденсатор: електролітичний; 4700мкФ; 385ВDC; Растр: 32мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; 4700мкФ; 385ВDC; Растр: 32мм; ±20%

6964,66 грн

Виводи:
болтове
Висота:
149,2мм
Діаметр:
76,6мм
Допуск:
±20%
Недоступний
IC: аналоговий перемикач; SPST-NC; Ch: 4; DIP16; -15÷15В; туба
IC: аналоговий перемикач; SPST-NC; Ch: 4; DIP16; -15÷15В; туба

255,32 грн

Вид упаковки:
туба
Кількість каналів:
4
Конфігурація виходу:
SPST-NC
Корпус:
DIP16
Захисна кришка; IP67; роз'ємів "мама" М12; пластик
Захисна кришка; IP67; роз'ємів "мама" М12; пластик

416,24 грн

Застосування роз’ємів:
роз'ємів "мама" М12
Клас герметичності:
IP67
Матеріал корпусу:
пластик
Тип аксесуарів для роз’ємів:
захисна кришка
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 150нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

1,94 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0805

5,07 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2нФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -19А; 68Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -19А; 68Вт; TO220AB

50,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
23,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -16,5В; -500мА; Idm: -1,25А; 1Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -16,5В; -500мА; Idm: -1,25А; 1Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -100мА; Idm: -0,3А; 740мВт

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -600В; -32А; 890Вт; TO264
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -600В; -32А; 890Вт; TO264

935,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
196нКл
Корпус:
TO264
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,16А; 0,625Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,16А; 0,625Вт; TO92

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; 120нс
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; 120нс

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -32А; 83Вт; TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -50В; -32А; 83Вт; TO220AB

193,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220AB