1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -27А; 138Вт; TO252

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -27А; 138Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: GT1K2P15K
57,02 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT1K2P15K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 86нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 138Вт
Струм стока: -27А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 27; THT; straight

41,18 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
21,6мм
Електричний монтаж:
THT
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 100ВDC; Ø16x25мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 220мкФ; 100ВDC; Ø16x25мм; ±20%

110,87 грн

Виводи:
радіальні
Висота:
25мм
Діаметр:
16мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Кінцевий роз'єм прямий; PG29; Різьбл: PG; латунь; SILVYN LGS-2
Кінцевий роз'єм прямий; PG29; Різьбл: PG; латунь; SILVYN LGS-2

842,63 грн

Вживання кабельних аксесуарів:
для обплетень; до пешл
Вид різьблення:
PG
Клас герметичності:
IP54
Матеріал:
латунь
Недоступний
Резистор: thick film; 100Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 100Ом; 0402; 62,5мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,01 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Опір:
100Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±10%; SMD; 0805

0,73 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±10%
Ємність:
1нФ
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 8А; 6A/250ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; SPST-NO; 8А; 6A/250ВAC

129,88 грн

Виводи:
для друку
Зовнішні розміри:
20x10x10,6мм
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 34Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 34Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А

280,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт

13,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
16нКл