Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SUM110P08-11L-E3
280,66 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 0,27мкКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -80В
Опір в стані провідності: 11,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: -110А
Струм стоку в імпульсі: -120А
Технологія: TrenchFET®
Тип транзистора: P-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 200ВDC; Ø12,5x25мм
Конденсатор: електролітичний; THT; 100мкФ; 200ВDC; Ø12,5x25мм

24,39 грн

Висота:
25мм
Діаметр:
12,5мм
Допуск:
±20%
Ємність:
100мкФ
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

831,86 грн

Довжина проводу:
3м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 475кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,39 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 3,92Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Провід; LiHCH; UNITRONIC® LiHCH (TP); 12x2x0,5мм2; LSZH; 60В
Провід; LiHCH; UNITRONIC® LiHCH (TP); 12x2x0,5мм2; LSZH; 60В

798,28 грн

Bластивості проводів:
низьке виділення диму
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; screw-in
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.3mm; GKS-113; CuBe; 1.5N; screw-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
2,3мм
Недоступний
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 3N; screw-in; 20mΩ
Test probe: screw-in; 8A; Ø: 1mm; GKS-112; CuBe; 3N; screw-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
screw-in
Вигин пружини макс.:
8мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1мм
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -20В; -3,6А; Idm: -20А

23,44 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
SC74; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23; ESD

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,5А; 2Вт; SOT223

57,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -4,1А; 1,7Вт; SOT23

7,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263
Транзистор: P-MOSFET; PolarP™; польовий; -100В; -52А; 300Вт; TO263

345,92 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; Idm: -10А; 0,5Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,76А; 0,301Вт; SC75

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SC75
Монтаж:
SMD