1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -30А; 138Вт; DFN5x6-8

Транзистор: P-MOSFET; SGT; польовий; -150В; -30А; 138Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: GT880P15D5
44,35 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT880P15D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 46нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -150В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 138Вт
Струм стока: -30А
Технологія: SGT
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; TO263; 25Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 12Ом; SMD; TO263; 25Вт; ±1%; 500В; -55÷155°C

284,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Кількість в наборі/упаковці:
500шт.
Корпус:
TO263
Контактний елемент; 61; конектори; Контакти: NC; 250ВAC; 5А
Контактний елемент; 61; конектори; Контакти: NC; 250ВAC; 5А

776,10 грн

Виводи:
конектори
Властивості перемикачів:
контакти залежної дії
Застосування - серія/виробник:
61
Конфігурація контактів:
NC
Недоступний
Резистор: thin film; 16,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 16,9Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Провід: управління; chainflex® CF78.UL; 36G1,5мм2; сірий; тросик
Провід: управління; chainflex® CF78.UL; 36G1,5мм2; сірий; тросик

3475,68 грн

Bластивості проводів:
самонесучий
Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 576кОм; SMD; 0508; 1Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

0,30 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0508
Корпус - мм:
1220
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 2,7кОм; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм
Резистор: вуглецевий; 2,7кОм; THT; 500мВт; ±5%; 350В; Ш0,54x28мм

1,21 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,5мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 8,06кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB
Резистор: thin film; 8,06кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6AEB

4,43 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А

280,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт

13,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
16нКл