1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -100В; -4А; 1,2Вт; SOT223

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -100В; -4А; 1,2Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: G04P10HE
41,81 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G04P10HE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 32нКл
Корпус: SOT223
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,2Вт
Струм стока: -4А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 130кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±1%; 200В

1,50 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 2,4кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,4кОм; 1206; 250мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C

0,08 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,4кОм
Провід; H05VVC4V5-K; ÖLFLEX® 150CY; 2x1,5мм2; ПВХ; сірий; CPR: Dca
Провід; H05VVC4V5-K; ÖLFLEX® 150CY; 2x1,5мм2; ПВХ; сірий; CPR: Dca

279,40 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Недоступний
Резистор: thin film; 13кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 13кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%

1,29 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1210

12,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,40 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,1пФ
Недоступний
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,25÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷5,5ВDC; 1,3А
PMIC; перетворювач DC/DC; Uвх: 2,25÷5,5ВDC; Uвих: 0,6÷5,5ВDC; 1,3А

461,86 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач DC/DC
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
0,6...5,5В DC
Вихідний струм:
1,3А
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD