1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -15В; -4,1А; 1,05Вт; SOT23

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -15В; -4,1А; 1,05Вт; SOT23
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: G29
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G29
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7,8нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -15В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,05Вт
Струм стока: -4,1А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 2,87Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,87Ом; 0201; 50мВт; ±1%; CRT; -55÷125°C

0,03 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
2,87Ом
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 100В; X8R; ±20%; SMD; 0603

1,72 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8R
Допуск:
±20%
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; OFF-ON; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 10А; OFF-ON; для вбудовування

2764,19 грн

Властивості перемикачів:
блокується навісним замком; фіксується в положенні 0 (OFF)
Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
2
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 0402; 62,5мВт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,03 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 33Ом; SMD; 2010; 500мВт; ±5%; HQ; 200В

2,86 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HQ; 75В
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HQ; 75В

0,28 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 18А; R: 5мОм; -20÷50%; DTS-25; вертикальне
Реактор: дротяний; THT; 18А; R: 5мОм; -20÷50%; DTS-25; вертикальне

338,32 грн

Вид дроселя:
кільцевий
Допуск:
-20...50%
Застосування реакторів:
гасіння вищих гармонік; імпульсні блоки живлення; фільтри EMI/RFI; як перешкодоподавляючі елементи
Індуктивність одинарної обмотки:
1мГн
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
17,7нКл
Корпус:
SOT26
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23