Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -2,6А; Idm: -16А

Немає в наявності
Код товару: PMV48XPA2R
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMV48XPA2R
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 10нКл
Корпус: SOT23; TO236AB
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Опір в стані провідності: 78мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -2,6А
Струм стоку в імпульсі: -16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Інвертор TNPC 3 рівня; F1.2
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Інвертор TNPC 3 рівня; F1.2

2410,04 грн

Електричний монтаж:
Press-in PCB
Зворотна напруга макс.:
1,2кВ
Корпус:
F1.2
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 25А; Iдіф: 100мА; Полюси: 2; 230ВAC

3734,17 грн

Вид вимикача:
тип A
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 61009-1
Диференціальний струм:
0,1А
Недоступний
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 121кОм; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 30; THT; 1.5A

369,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Недоступний
Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В
Діод: випрямний; 1,8кВ; 400А; анод на болті; E17; M24x1,5; 1,45В

17075,54 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ізольований тросик - силіконовий рукав
Зворотна напруга макс.:
1,8кВ
Корпус:
E17
Монтаж:
гвинтовий
Недоступний
Резистор: thin film; 2,61кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 2,61кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

58,92 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; A/E/USART x2,LIN,MSSP x2
IC: мікроконтролер PIC; 48кБ; 40МГц; A/E/USART x2,LIN,MSSP x2

203,37 грн

Вид архітектури:
Harvard 8бит
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
Phase locked loop; watchdog
Інтерфейс:
A/E/USART x2; LIN; MSSP x2
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252
Транзистор: P-MOSFET; -100В; -50А; 101Вт; DPAK,TO252

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK; TO252
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -5А; 1,25Вт; TSMT6

16,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3
Транзистор: P-MOSFET; -20В; -2,5А; 1Вт; TSMT3

17,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: P-MOSFET; -40В; -40А; 62Вт; DFN8

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-20...5В
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8
Транзистор: P-MOSFET; -30В; -5,5А; 1,5Вт; TSMT8

9,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TSMT8
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; -100мА
Транзистор: P-MOSFET; -100мА

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Монтаж:
SMD
Струм стока:
-0,1А
Тип транзистора:
P-MOSFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,6А; 2Вт; SO8

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD