Name: Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -3,2А; Idm: -12А; ESD
Brand: NEXPERIA
SKU: PMPB29XPE,115
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -3,2А; Idm: -12А; ESD

Немає в наявності

Код товару: PMPB29XPE,115

0,00 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Мінімальна кількість в замовленні: 3000

Крок додавання: 3000

Код товару:

PMPB29XPE,115

Виробник:

NEXPERIA

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

cтрічка; ролик

Заряд затвора:

45нКл

Корпус:

DFN2020MD-6; SOT1220

Модель:

ESD

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±12В

Напруга сток-джерело:

-20В

Опір в стані провідності:

46мОм

Поляризація:

польовий

Струм стока:

-3,2А

Струм стоку в імпульсі:

-12А

Технологія:

Trench

Тип транзистора:

P-MOSFET

Недоступний

Бажані

IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 10бит; 80Мsps; 2,7÷3,6В; TSSOP28

650,03 грн

Вид входу:
differential; single-ended

Інтерфейс:
parallel

Кількість каналів:
1

Корпус:
TSSOP28

Бажані

Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 330мкФ; 10ВDC; ±20%

48,15 грн

Вид конденсатора:
low ESR

Висота:
10,2мм

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Діаметр:
8мм

Недоступний

Бажані

Резистор: вуглецевий; 45,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±1%; 500В

9,88 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200

Діаметр:
2,2мм

Діаметр роліка макс.:
330мм

Довжина:
5,8мм

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -15В; -0,72А; Idm: 7А; SO8; ESD

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
5,45нКл

Корпус:
SO8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,7А; Idm: -16,4А; 1,51Вт

12,04 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
6,8нКл

Корпус:
SOT23-3

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -46А; Idm: -257А; 110Вт

100,10 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
64нКл

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -14А; Idm: -56А; 2Вт; SOP8; ESD

177,40 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
150нКл

Корпус:
SOP8

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1Вт; SOT23

32,63 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
13нКл

Корпус:
SOT23

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -8,2А; Idm: -18А

77,29 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
19нКл

Корпус:
DPAK; TO252

Бажані

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
22нКл

Корпус:
SO8