1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -45А; 29Вт; DFN3x3-8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -45А; 29Вт; DFN3x3-8
Немає в наявності
Код товару: G45P02D3
39,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G45P02D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 29Вт
Струм стока: -45А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 75Ом; PTFE
Роз’єм: BNC; вилка; штекерний; коаксіальний; прямий; 75Ом; PTFE

220,48 грн

Connector family:
коаксіальний
Вид кабелю:
Belden 1694A; Belden 4694R; Belden 9248
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2.5mm; GKS-912; CuBe; 3N; plug-in; L: 32mm

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
2,5мм
Довжина:
32мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; 47мкФ; 10ВDC; X7R; ±10%; SMD; 1210

0,00 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
47мкФ
Корпус - дюйм:
1210
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 3А; Полюси: 1

1546,50 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
15кА
Властивості вимикачів:
оптичний індикатор спрацьовування
Діаметр з'єднуючих шин:
0,8...2мм
Кількість полюсів:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%; ERA3AED

1,96 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F
Резистор: thick film; 5,6Ом; SMD; 0805; 500мВт; ±1%; ERJHP6F

2,37 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 10ВDC; X5R; ±10%; SMD; 0805

0,00 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
2,2мкФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: 16А; 1Вт; SOT23

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3А; Idm: -20А; 1,15Вт; SO8

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -1,3А; Idm: -8,4А

17,74 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
5,8нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -2А; Idm: -6А; 800мВт; TUMT3

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
6,5нКл
Корпус:
TUMT3
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -25А

94,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
40нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -3,4А; Idm: -13,6А; 1,25Вт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5А; Idm: -20А; 2,1Вт; SOP8

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,8нКл
Корпус:
SOP8