1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -8А; 3,5Вт; DFN2x2-6

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -20В; -8А; 3,5Вт; DFN2x2-6
Немає в наявності
Код товару: G220P02D2
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G220P02D2
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 14нКл
Корпус: DFN2x2-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -20В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,5Вт
Струм стока: -8А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Конектор: плоский; 6,35мм; 0,8мм; неізольований; THT; латунь
Конектор: плоский; 6,35мм; 0,8мм; неізольований; THT; латунь

5,89 грн

Версія наконечника:
неізольований
Електричний монтаж:
THT
Загальна довжина:
30,658мм
Матеріал контакту:
латунь
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3нФ; 6,3В; X7R; ±5%; SMD; 0201

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 68,1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 68,1Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 4,7нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

1,28 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
4,7нФ
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,9пФ
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 40А; Полюси: 3
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 40А; Полюси: 3

1996,96 грн

Виводи:
самозажимна клемма
Відключаюча здатність кор. замикання:
6кА
Відповідність стандарту:
IEC EN 60898-1
Кількість полюсів:
3
Недоступний
Ніж; 205мм; висуване сегментне лезо; для правшів; Gedore Red
Ніж; 205мм; висуване сегментне лезо; для правшів; Gedore Red

727,32 грн

Властивості кусачок/ножів:
висуване сегментне лезо
Довжина:
205мм
Кількість в наборі/упаковці:
6шт.
Модель:
для правшів
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -80В; -110А; Idm: -120А

280,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -0,13А; Idm: -0,58А; 0,225Вт

13,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10,1нКл
Корпус:
SC70; SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,6А; 1,56Вт; SOT23

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
8нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -7А; Idm: -40А; 3,9Вт; SOP8

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
SOP8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; Idm: -16А; 1Вт; SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -11А; Idm: -72А; 19Вт

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
16нКл