Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -2,5А; Idm: -16А; ESD

Немає в наявності
Код товару: PMPB47XP,115
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 3000
Крок додавання: 3000
Код товару: PMPB47XP,115
Виробник: NEXPERIA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: DFN2020MD-6; SOT1220
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±12В
Напруга сток-джерело: -30В
Опір в стані провідності: 88мОм
Поляризація: польовий
Струм стока: -2,5А
Струм стоку в імпульсі: -16А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Резистор: thin film; 100Ом; 400мВт; 3,5x1,4x0,8мм; -55÷155°C
Резистор: thin film; 100Ом; 400мВт; 3,5x1,4x0,8мм; -55÷155°C

13,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Опір:
100Ом
Потужність:
0,4Вт
Робоча температура:
-55...155°C
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 40,2кОм; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Недоступний
Резистор: thick film; 29,4Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 29,4Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

15,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Вимикач двигуна; 230÷690ВAC; на шину DIN; 6,3÷10А; IP20
Вимикач двигуна; 230÷690ВAC; на шину DIN; 6,3÷10А; IP20

2135,71 грн

Діапазон налаштування захисту:
6,3...10А
Електричне під'єднування:
різьбові клеми
Захист:
від короткого замикання SCP; протиперевантажувальні OPP
Клас герметичності:
IP20
Недоступний
Резистор: metal film; 2,49кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V
Резистор: metal film; 2,49кОм; прецизійний; THT; 400мВт; ±0,1%; V

15,97 грн

Виводи:
осьові
Вид резистора:
прецизійний
Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.5mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,5мм
Недоступний
Резистор: thin film; 604Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 604Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; RT; -55÷155°C

0,00 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -2,3А; Idm: -14А; 42Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,4А; 0,5Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -7,2А; 2,1Вт; PQFN3.3X3.3

20,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Корпус:
PQFN3.3X3.3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,5А; Idm: -25А; 900мВт

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2,2А; 1Вт; SOT23

8,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 33Вт; DFN5x6

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
75нКл
Корпус:
DFN5x6
Монтаж:
SMD