Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -30В; -4,6А; 1,4Вт; SOT23

Немає в наявності
Код товару: G3035
39,91 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G3035
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 13нКл
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 1,4Вт
Струм стока: -4,6А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: PMIC; перетворювач POL; Uвх: 5,3÷16ВDC; Uвих: 0,5÷14ВDC; buck
IC: PMIC; перетворювач POL; Uвх: 5,3÷16ВDC; Uвих: 0,5÷14ВDC; buck

183,73 грн

Вид об'єднаної схеми:
перетворювач POL
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
0,5...14В DC
Вихідний струм:
30А
Недоступний
Резистор: thick film; 499Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 499Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
IC: driver; 10А; Uживл: 300В; U: 600В; Uізол: 1,5кВ; 33Вт; Uce: 600В
IC: driver; 10А; Uживл: 300В; U: 600В; Uізол: 1,5кВ; 33Вт; Uce: 600В

1153,70 грн

Вихідний струм:
10А
клас напруги:
600В
Монтаж:
THT
Напруга живлення:
300В
Недоступний
Диференційний вимикач; Iном: 20А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; 230ВAC
Диференційний вимикач; Iном: 20А; Iдіф: 30мА; Полюси: 1+N; 230ВAC

7640,02 грн

Вид вимикача:
тип F
Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Диференціальний струм:
30мА
Кількість полюсів:
1+N
Недоступний
Симістор; 400В; 4А; Igt: 50мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 30А
Симістор; 400В; 4А; Igt: 50мА; DPAK; ролик,cтрічка; Ifsm: 30А

11,91 грн

Typ of triac:
стандартний
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
high commutation
Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 3; THT; straight

5,51 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
30,8мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; SIP; THT; ККД: 84%; Uізол: 3кВ; OUT: 1
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; SIP; THT; ККД: 84%; Uізол: 3кВ; OUT: 1

703,88 грн

Вихідна напруга:
15В
Захист:
від короткого замикання SCP
Кількість виходів:
1
ККД:
84%
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3,2А; Idm: -20А; 25Вт

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -60В; -2,6А; Idm: -20А

84,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -220В; -120мА; Idm: -0,7А; 360мВт

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -250В; -0,19А; 1Вт; PG-SOT89

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT89
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2,8А; 900мВт; SOT23

8,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
3,1нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -8А; 1,1Вт; SO8

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,6нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -18А; 30Вт; TO252

40,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
22,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD