Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -15А; 50Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: G15P04K
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G15P04K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -15А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Кримпер: присвячений; 18AWG÷16AWG; контакти
Кримпер: присвячений; 18AWG÷16AWG; контакти

26270,31 грн

Використання:
контакти
Розмір проводу:
18AWG...16AWG
Супутні товари:
35725-3910; PIGGYBACK QD
Тип кримпера:
присвячений
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,5÷6,5В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,5÷6,5В

56,39 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,5...6,5В
Вихідний струм:
0,15А
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 111; THT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 111; THT; straight

180,56 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
26,7мм
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Запобіжник: плавка; 82мм; автомобільний; 40А; 32÷72ВDC
Запобіжник: плавка; 82мм; автомобільний; 40А; 32÷72ВDC

77,29 грн

Вид запобіжника:
автомобільний
Номінальна напруга:
32...72В DC
Номінальний струм:
40А
Розмір запобіжника:
82мм
Недоступний
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В
Резистор: thick film; 11,8Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF
Резистор: thick film; 150кОм; SMD; 0603; 125мВт; ±1%; ERJH3EF

1,53 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,3÷36В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,регульований; 1,3÷36В

338,95 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; регульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
1,3...36В
Вхідна напруга:
3...36В
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -33А; 375Вт

283,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
280нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -74А; 200Вт; D2PAK

178,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -13А; 66Вт; DPAK

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,6Вт; SuperSOT-6

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
8,1нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -500В; -160мА; Idm: -0,8А; 1,6Вт

101,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT89-3
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -5,5А; 2Вт; PG-TSOP-6

55,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TSOP-6
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-SOT23

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В