1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -180А; 178Вт; TO263

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -180А; 178Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: G040P04M
86,80 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G040P04M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 0,27мкКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 178Вт
Струм стока: -180А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 43нГн; 145мА; R: 1,6Ом; ±5%; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 03015; 43нГн; 145мА; R: 1,6Ом; ±5%; LQW; 180мм

5,83 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±5%
Індуктивність:
43нГн
Корпус - дюйм:
03015
Недоступний
Резистор: thin film; 1,21кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 1,21кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Резистор: thick film; 511Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 511Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; 100ppm/°C

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
511Ом
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 18бит; 240sps; 2,7÷5,5В; SOIC8; туба
IC: перетворювач А/D; Ch: 2; 18бит; 240sps; 2,7÷5,5В; SOIC8; туба

179,93 грн

Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
I2C
Кількість каналів:
2
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,2кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,4пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,4пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 16кБSRAM; QFN-S28; 3÷3,6ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 64кБ; 16кБSRAM; QFN-S28; 3÷3,6ВDC; DSPIC

323,11 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); CRC; DMAC x8; PMP; PoR; RTCC; watchdog
Генератор вбудований:
32,768кГц; 7,37МГц
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -18А; Idm: -100А

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
62нКл
Корпус:
PowerPAK® 1212-8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

38,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -130мА; Idm: -0,52А; 225мВт

22,17 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,65нКл
Корпус:
SOT323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -11,5А; Idm: -46А; 3,5Вт

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
18нКл
Корпус:
DFN2020-6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -95А; Idm: -380А; 162,3Вт

51,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
58,4нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -35А; Idm: -140А; 58Вт; TO252

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -30А; Idm: -120А; 29,7Вт

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
PDFN3030-8