Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -54А; 35,7Вт; TO220F

Немає в наявності
Код товару: G75P04F
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G75P04F
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO220F
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 35,7Вт
Струм стока: -54А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: G 3/4"; W: 250мм
Знімач для підшипників; двостулковий; Різьба: G 3/4"; W: 250мм

12635,60 грн

Глибина:
200мм
Здатн. навантаження:
max. 7500кг
Модель:
двостулковий
Різьба:
G 3/4"
Недоступний
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В
Резистор: thick film; 56Ом; SMD; 1210; 750мВт; ±5%; HP; 200В

1,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 39,2Ом; 0402; 63мВт; ±1%; 50В; -55÷155°C

0,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.15mm; GKS-101; CuBe; 1.5N; push-in
Test probe: ICT/FCT; 4A; Ø: 1.15mm; GKS-101; CuBe; 1.5N; push-in

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±20%
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 630ВDC; 305ВAC; THT; ±20%

16,47 грн

Вид конденсатора:
X2
Вид упаковки:
ролик
Допуск:
±20%
Ємність:
0,1мкФ
Недоступний
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 53кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,22 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,78 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 180Вт; TO247AC

212,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
61нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -320мА; Idm: -3,5А; 1Вт; TO92

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -15А; 128Вт; PG-TO220-3

132,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; польовий; -100В; -195А; 390Вт

1495,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
740нКл
Корпус:
ISOPLUS247™
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -7,5А; Idm: -48А; 150Вт

185,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -42А; Idm: -168А; 36,7Вт

46,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -195А; 294Вт; TO220

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
186нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT