Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -40В; -80А; 115Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: G75P04T
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G75P04T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 106нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 115Вт
Струм стока: -80А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 2,8нГн; 850мА; R: 0,05Ом; LQW; 180мм
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 2,8нГн; 850мА; R: 0,05Ом; LQW; 180мм

2,25 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,2нГн
Індуктивність:
2,8нГн
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Роз’єм: M16; вилка; PIN: 14; штекерний; промислова; 425; 60В; IP67
Роз’єм: M16; вилка; PIN: 14; штекерний; промислова; 425; 60В; IP67

1907,63 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
2м
Електричний монтаж:
проводи
Недоступний
Свердло; для бетону; Ø: 10мм; L: 110мм; SDS-Plus®
Свердло; для бетону; Ø: 10мм; L: 110мм; SDS-Plus®

80,46 грн

Вид рукоятки:
SDS-Plus®
Використання інструментів:
бетон; граніт; камінь; пористий бетон; цегляні матеріали
Властивості свердел:
подвійна спіраль забезпечує швидке видалення відходів
Діаметр свердла:
10мм
Недоступний
Резистор: thin film; 76,8кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм
Резистор: thin film; 76,8кОм; THT; 600мВт; ±1%; 350В; Ш0,6x28мм

9,88 грн

Діаметр:
2,5мм
Довжина:
6,5мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,37 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6пФ
Резистор: дротяний; 22Ом; з радіатором; 25Вт; ±1%; 50ppm/°C; 18,6мм
Резистор: дротяний; 22Ом; з радіатором; 25Вт; ±1%; 50ppm/°C; 18,6мм

94,40 грн

Виводи:
до лютування
Вид резистора:
з радіатором
Допуск:
±1%
Кількість монтажних отворів:
2
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

1,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,4пФ
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -200В; -6,8А; Idm: -44А; 125Вт

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -28А; 89Вт; IPAK

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
IPAK
Монтаж:
THT
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -640мА; Idm: -4А; 740мВт; TO92

124,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -8,5А; 42Вт; TO220FP

79,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -50А; 300Вт; TO247-3; 180нс

629,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251A
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -67А; 45Вт; TO251A

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO251A
Монтаж:
THT
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -25А; 100Вт; TO220
Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -25А; 100Вт; TO220

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
23нКл
Корпус:
TO220
Монтаж:
THT