1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -12А; 27Вт; TO252

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -12А; 27Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: G12P06K
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G12P06K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 23нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 27Вт
Струм стока: -12А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; 2м; вилка
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; 2м; вилка

2862,40 грн

Engineering PN:
M12 Cable Assembly D-cod st/st m/f 2,0m
Довжина кабелю:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

0,22 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
33нФ
Недоступний
Насадка: 6-гранна; насадковий; 9/16"; 3/8"; 29мм; хром
Насадка: 6-гранна; насадковий; 9/16"; 3/8"; 29мм; хром

513,81 грн

Вид ключа:
насадковий
Відповідність стандарту:
DIN 3120; ISO 1174
Довжина насадки:
29мм
Матеріал:
хром-ванадієва сталь
Недоступний
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; ACT; 20мкА
IC: цифровий; тригер D; Ch: 2; CMOS,TTL; SMD; TSSOP14; ACT; 20мкА

69,69 грн

Вид об'єднаної схеми:
тригер D
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
2
Корпус:
TSSOP14
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 19А

79,83 грн

Alias:
SL-SMT 5.08HC/05/180G 1.5SN BK RL
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
13,5мм
Недоступний
Провід; плоска; ÖLFLEX® LIFT F; 4G10мм2; неекранований; 450В,750В
Провід; плоска; ÖLFLEX® LIFT F; 4G10мм2; неекранований; 450В,750В

770,40 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Ферит: кільцевий; 75; -55÷90°C; 6,25мкГн; 25,4x15,5x12,7мм
Ферит: кільцевий; 75; -55÷90°C; 6,25мкГн; 25,4x15,5x12,7мм

59,55 грн

Індуктивність:
6,25мкГн
Матеріал стержня:
75
Робоча температура:
-55...90°C
Розміри:
25,4x15,5x12,7мм
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -55В; -18А; 57Вт; DPAK

65,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
-55В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -1,8А; Idm: -10А; 1,6Вт; SOT23

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET