Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -230мА; Idm: -0,92А

Немає в наявності
Код товару: BSS84T116
18,37 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: BSS84T116
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: SOT23
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Опір в стані провідності: 6,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 0,35Вт
Струм стока: -0,23А
Струм стоку в імпульсі: -0,92А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 30пФ; 6,3В; C0G (NP0); ±2%; 0201

0,35 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±5%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Монтаж:
SMD
Недоступний
Реактор: дротяний; THT; 68мкГн; 0,185А; R: 2,9Ом; ±10%; Ø3x7мм; ферит
Реактор: дротяний; THT; 68мкГн; 0,185А; R: 2,9Ом; ±10%; Ø3x7мм; ферит

10,33 грн

Виводи:
осьові
Високосортність:
60
Висота:
7мм
Діаметр:
3мм
Резистор: thick film; 100мОм; вимірювальний
Резистор: thick film; 100мОм; вимірювальний

27,12 грн

Вид резистора:
вимірювальний
Опір:
0,1Ом
Тип резистора:
thick film
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,1пФ; 16В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,1пФ
Недоступний
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-4А
Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 20/-20В; 4/-4А

18,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11/11,3нКл
Корпус:
ChipFET8
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 1,8А; ±20%; 3x3x1,5мм
Реактор: дротяний; SMD; 2,2мкГн; Iробочий: 1,8А; ±20%; 3x3x1,5мм

3,66 грн

Висота:
1,5мм
Допуск:
±20%
Індуктивність:
2,2мкГн
Матеріал стержня:
ферит
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223

78,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT223
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
9нКл
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -38В; -11А; 2Вт; SO8

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: P-JFET; польовий; 2мА; 0,225Вт; SOT23; Igt: 50мА

36,75 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
30В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -6,8А; 2,4Вт; MicroFET

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
MicroFET
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -11А; 2,4Вт; SO8

86,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
56нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -19,1А; 120Вт; D2PAK

146,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
43нКл
Корпус:
D2PAK