1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -25А; 42Вт; DFN5x6-8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -25А; 42Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: G700P06D5
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G700P06D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: -25А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 1Мsps; 4,75÷5,25В; TSSOP16
IC: перетворювач А/D; Ch: 1; 16бит; 1Мsps; 4,75÷5,25В; TSSOP16

0,00 грн

Max DNL:
±0,7LSB
Max INL:
±1,5LSB
Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
single-ended
Недоступний
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NQ; 75В
Резистор: thick film; 3кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±5%; NQ; 75В

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
17,7нКл
Корпус:
SOT26
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23