1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -4,5А; 3,1Вт; SOT223

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -4,5А; 3,1Вт; SOT223
Немає в наявності
Код товару: G1K1P06HH
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G1K1P06HH
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: SOT223
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 3,1Вт
Струм стока: -4,5А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; THT; 2200мкФ; 6,3ВDC; Ø10x20мм; ±20%
Конденсатор: електролітичний; THT; 2200мкФ; 6,3ВDC; Ø10x20мм; ±20%

0,00 грн

Висота:
20мм
Діаметр:
10мм
Допуск:
±20%
Ємність:
2,2мФ
Недоступний
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А
Роз’єм: роз'єднувальна клемова рейка; штекерний; OMNIMATE; 12А

108,34 грн

Alias:
SL 3.50/10/90 3.2SN OR BX
Connector family:
роз'єм живлення
Вид роз’єму:
штекерний
Висота:
10,7мм
Резистор: metal film; 100Ом; 250мВт; ±1%; MFR; -55÷155°C; 100ppm/°C
Резистор: metal film; 100Ом; 250мВт; ±1%; MFR; -55÷155°C; 100ppm/°C

0,46 грн

Виводи:
осьові
Довжина:
3,4мм
Допуск:
±1%
Опір:
100Ом
Недоступний
ROCKER; DPDT; ON-(ON); 3A/120ВAC; 3A/28ВDC; чорний; 400; срібло; THT
ROCKER; DPDT; ON-(ON); 3A/120ВAC; 3A/28ВDC; чорний; 400; срібло; THT

202,10 грн

Виводи:
для друку
Колір клавіші:
чорний
Конфігурація контактів:
DPDT
Матеріал контакту:
срібло
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 1,5мкГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 60мОм
Реактор: дротяний; SMD; 1008; 1,5мкГн; ±20%; 2,7x2,2x1,2мм; 60мОм

4,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Індуктивність:
1,5мкГн
Корпус - дюйм:
1008
Недоступний
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 680кОм; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thick film; 133Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 133Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; CQ; 200В; -55÷155°C

2,06 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2512
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -2,4А; Idm: -12А

38,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -40В; -7,2А; Idm: -20А

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -3,8А; Idm: -15,2А; 1,25Вт

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -35А; Idm: -140А; 35Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -4А; Idm: -16А; 3,1Вт; SOT223

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -3А; Idm: -13,6А; 1,92Вт

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Заряд затвора:
17,7нКл
Корпус:
SOT26
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -6А; Idm: -20А; 1,8Вт; SOT23

27,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
SOT23