1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа P
  6. Транзистори з каналом P SMD

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -40А; 50Вт; DFN5x6-8

Транзистор: P-MOSFET; Trench; польовий; -60В; -40А; 50Вт; DFN5x6-8
Немає в наявності
Код товару: G300P06D5
42,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: G300P06D5
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 49нКл
Корпус: DFN5x6-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: -60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 50Вт
Струм стока: -40А
Технологія: Trench
Тип транзистора: P-MOSFET
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт

181,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
standard power mosfet
Заряд затвора:
17,8нКл
Недоступний
Резистор: thin film; 43,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 43,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
З'єднувач; Jack 6,3мм гніздо,з обох сторін; моно
З'єднувач; Jack 6,3мм гніздо,з обох сторін; моно

136,21 грн

Конструкція кабелю/переходу:
Jack 6,3мм гніздо; з обох сторін
Модель роз’єму:
моно
Тип переходу:
з'єднувач
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 3900мкФ; 450ВDC; Вив: болтове; 5000г
Конденсатор: електролітичний; 3900мкФ; 450ВDC; Вив: болтове; 5000г

4735,18 грн

Виводи:
болтове
Висота:
90мм
Діаметр:
90мм
Ємність:
3,9мФ
Недоступний
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -50В; -0,13А; 0,225Вт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А
Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; польовий; -30В; -6,5А; Idm: -50А

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
50нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,39А; 0,25Вт; PG-SOT-363

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-363
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323

17,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-SOT-323
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±12В
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -2А; 900мВт; SOT23; ESD

11,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
2,2нКл
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -30В; -4А; 1,3Вт; TSOP6

19,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7нКл
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -40В; -12А; 25Вт; TO252

13,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16,2нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD