Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт

Немає в наявності
Код товару: IXTA1R4N100P
181,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXTA1R4N100P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: standard power mosfet
Заряд затвора: 17,8нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 11,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 1,4А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Технологія: Polar™
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 750нс
Недоступний
Резистор: thin film; 43,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR
Резистор: thin film; 43,2кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; TFR

17,11 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB
Резистор: thin film; 5,1кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2ARB

11,47 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
З'єднувач; Jack 6,3мм гніздо,з обох сторін; моно
З'єднувач; Jack 6,3мм гніздо,з обох сторін; моно

136,21 грн

Конструкція кабелю/переходу:
Jack 6,3мм гніздо; з обох сторін
Модель роз’єму:
моно
Тип переходу:
з'єднувач
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 75кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; 3900мкФ; 450ВDC; Вив: болтове; 5000г
Конденсатор: електролітичний; 3900мкФ; 450ВDC; Вив: болтове; 5000г

4735,18 грн

Виводи:
болтове
Висота:
90мм
Діаметр:
90мм
Ємність:
3,9мФ
Недоступний
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 835Ом; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,25%; MCT0603; 0

7,92 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±0,25%
Кількість в наборі/упаковці:
1000шт.
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 3Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; осьові; L: 3,2мм
Резистор: вуглецевий; 3Ом; THT; 250мВт; ±5%; 250В; осьові; L: 3,2мм

0,89 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
1,7мм
Довжина:
3,2мм
Допуск:
±5%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
11нКл
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4А; 7Вт; PG-SOT223; ESD

47,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 3,5А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
4,5нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,37Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; 0,74Вт; SOT23

26,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 6,5А; Idm: 32А; 1,25Вт; SOT23

16,47 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
8,6нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 25А; Idm: 100А; 40Вт; TO252AA

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
20нКл
Корпус:
TO252AA